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Α Β Γ Δ Ε Ζ Η Θ Ι Κ Λ Μ  
Ν Ξ Ο Π Ρ Σ Τ Υ Φ Χ Ψ Ω  
α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ  
ν ξ ο π ρ ς σ τ υ φ χ ψ ω
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А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П
Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я  
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(예 : 2012 ~ 2018)
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MOS素子의 界面狀態密度와 表面準位와의 關聯性에 關한 硏究
주유진
서울 : 高麗大學校, 1988.
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MOS소자의 固定表面電荷密度의 測定
모승기
서울 : 中央大學校, 1987.
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MOS素子의 特性에 어닐링 條件이 미치는 影響에 관한 硏究
이종인
서울 : 中央大學校, 1987.
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MOS소자의 Oxide 층 내에 있는 이동성 전하에 관한 연구
양근모
인천 : 仁荷大學校, 1986.
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MOS소자에 수소이온이 끼치는 전기적 영향
남은수
경산 : 嶺南大學校, 1984.
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RTN에 의해 製作된 MOS素子의 電氣的 特性
이철인
서울 : 中央大學校, 1988.
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게이트金屬 變化에 依한 MOS素子의 C-V 特性
최현식
서울 : 中央大學校, 1989.
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X-ray radiation이 MOS소자에 미치는 영향
김정재
인천 : 仁荷大學校, 1988.
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Thesis
Dual TCE 酸化法에 의한 MOS素子의 C-V特性 및 어닐링 시간에 관한 硏究
신중현
서울 : 中央大學校, 1986.
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Thesis
MOS 素子에서의 TCE 酸化가 絶緣破壞電壓에 미치는 影響
김태형
서울 : 中央大學校, 1986.
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