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ㅏ	あ a	ぁ	か ka	が ga	さ sa	ざ za	た ta	だ da		な na	は ha	ば ba	ぱ pa	ま ma	や ya	ゃ lya	ら ra	わ wa	ゎ lwa	ん n
l	い i	ぃ	き ki	ぎ gi	し si	じ zi	ち ti	ぢ di		に ni	ひ hi	び bi	ぴ pi	み mi			り ri
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ㅔ	え e	ぇ	け ke	げ ge	せ se	ぜ ze	て te	で de		ね ne	へ he	べ be	ぺ pe	め me			れ re
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	o		ㅋ	ㄱ	ㅅ	ㅈ	ㅌ	ㄷ	촉	ㄴ	ㅎ	ㅂ	ㅃ	ㅁ	야		ㄹ	와
ㅏ	ア a	ァ	カ ka	ガ ga	サ sa	ザ za	タ ta	ダ da		ナ na	ハ ha	バ ba	パ pa	マ ma	ヤ ya	ャ lya	ラ ra	ワ wa	ヮ lwa		ン n
l	イ i	ィ	キ ki	ギ gi	シ si	ジ zi	チ ti	ヂ di		ニ ni	ヒ hi	ビ bi	ピ pi	ミ mi			リ ri
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ㅔ	エ e	ェ	ケ ke	ゲ ge	セ se	ゼ ze	テ te	デ de		ネ ne	ヘ he	ベ be	ぺ pe	メ me			レ re
ㅗ	オ o	ォ	コ ko	ゴ go	ソ so	ゾ zo	ト to	ド do		ノ no	ホ ho	ボ bo	ポ po	モ mo	ヨ yo	ョ lyo	ロ ro	ヲ wo		ーー

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窒化膜의 氣相成長과 그 電氣的特性

김승배

서울 : 高麗大學校, 1978.

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PECVD 法에 의한 실리콘 窒化膜의 製造 및 그 性質

김준희

대구 : 慶北大學校, 1991.

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SiH₄/NH₃/N₂와 SiH₄/NH₃/Ar의 혼합비율이 PECVD 질화막의 특성에 미치는 영향

김춘근

서울 : 漢陽大學校, 1988.

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실리콘窒化膜 pH-ISFET의 感知膜表面處理效果

권대혁

대구 : 慶北大學校, 1987.

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Thesis

실리콘 산화막의 열적질화가 실리콘 깊은준위에 미치는 영향

전본근

대구 : 慶北大學校, 1994.

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