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ㅏ	あ a	ぁ	か ka	が ga	さ sa	ざ za	た ta	だ da		な na	は ha	ば ba	ぱ pa	ま ma	や ya	ゃ lya	ら ra	わ wa	ゎ lwa	ん n
l	い i	ぃ	き ki	ぎ gi	し si	じ zi	ち ti	ぢ di		に ni	ひ hi	び bi	ぴ pi	み mi			り ri
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ㅔ	え e	ぇ	け ke	げ ge	せ se	ぜ ze	て te	で de		ね ne	へ he	べ be	ぺ pe	め me			れ re
ㅗ	お o	ぉ	こ ko	ご go	そ so	ぞ zo	と to	ど do		の no	ほ ho	ぼ bo	ぽ po	も mo	よ yo	ょ lyo	ろ ro	を wo

	o		ㅋ	ㄱ	ㅅ	ㅈ	ㅌ	ㄷ	촉	ㄴ	ㅎ	ㅂ	ㅃ	ㅁ	야		ㄹ	와
ㅏ	ア a	ァ	カ ka	ガ ga	サ sa	ザ za	タ ta	ダ da		ナ na	ハ ha	バ ba	パ pa	マ ma	ヤ ya	ャ lya	ラ ra	ワ wa	ヮ lwa		ン n
l	イ i	ィ	キ ki	ギ gi	シ si	ジ zi	チ ti	ヂ di		ニ ni	ヒ hi	ビ bi	ピ pi	ミ mi			リ ri
ㅜ	ウ u	ゥ	ク ku	グ gu	ス su	ズ zu	ツ tu	ヅ du	ッ	ヌ nu	フ hu	ブ bu	プ pu	ム mu	ユ yu	ュ lyu	ル ru			ヴ vu
ㅔ	エ e	ェ	ケ ke	ゲ ge	セ se	ゼ ze	テ te	デ de		ネ ne	ヘ he	ベ be	ぺ pe	メ me			レ re
ㅗ	オ o	ォ	コ ko	ゴ go	ソ so	ゾ zo	ト to	ド do		ノ no	ホ ho	ボ bo	ポ po	モ mo	ヨ yo	ョ lyo	ロ ro	ヲ wo		ーー

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양성자 빔조사를 이용한 고품위 단결정 나노 구조체형성 연구=Development of high quality single crystal nanostructures using proton beam irradiation

한국원자력연구원

대전: 한국원자력연구원 양성자기반공학기술개발사업, 2008.

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高分子物質속으로 注入된 Li+이온의 注入 깊이에 關한 硏究

이연환

서울 : 동국대학교, 1981.

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Thesis

GaAs에 대한 Si 이온주입의 컴퓨터계산 및 그 물리적 특성 = Studies on the computer simulation and the physical properties of Si implanted GaAs

이연환

서울 : 東國大學校, 1990.

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