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비휘발성 메모리의 응용을 위한 산화물 박막의 저항 스위칭 효과에 관한 연구 =(The) study of resistive switching effect of oxide thin films for non-volatile memory device
Document Type
Thesis
Title
비휘발성 메모리의 응용을 위한 산화물 박막의 저항 스위칭 효과에 관한 연구 = (The) study of resistive switching effect of oxide thin films for non-volatile memory device / 김철환
개인저자
Publication
부산 : 부산대학교 , 2010
Physical Description
viii, 122 p. : 삽화, 도표 ; 26 cm
Dissertation Note
학위논문(박사)-- 부산대학교 대학원 : 물리학과 , 2010. 8.
Bibliography Note
참고문헌 : p. 113-120
Summary Note
Abstract : p. 121-122
System Note
Requires PDF file reader(application/pdf)
Call Number
537.622 김813ㅂ
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