Catalog
| LDR | 00957namka2200325 k 4500 | ||
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| 260 | ▼a [과천]: ▼b 과학기술부,▼c 2000.▲ | ||
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| 500 | ▼a 본 보고서는 "전력용 반도체 기술개발 사업"의 세부과제임▲ | ||
| 500 | ▼a 주관기관: 서울대학교 반도체공동연구소▲ | ||
| 500 | ▼a 주관연구책임자: 한민구▲ | ||
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| 740 | ▼a 전력용 반도체 기술개발 사업▲ | ||
| 950 | 1 | ▼a 가격불명▲ | |
| 999 | 0 | 0 | ▼a 신주영▼b 신주영▲ |
600V급 MOS 구동 사이리스터 설계기술 연구= Design and fabrication of a new 600V MOS-gated thyristor
Document Type
Domestic Book
Title
600V급 MOS 구동 사이리스터 설계기술 연구 = Design and fabrication of a new 600V MOS-gated thyristor / 과학기술부 [편]
부출서명
전력용 반도체 기술개발 사업
개인저자
Corporate Name
Publication
[과천] : 과학기술부 , 2000.
Physical Description
276 p. : 삽도 ; 30 cm.
General Note
본 보고서는 "전력용 반도체 기술개발 사업"의 세부과제임
주관기관: 서울대학교 반도체공동연구소
주관연구책임자: 한민구
참여기업: 페어차일드 코리아 반도체 주식회사.
부록: 공정 진행용 runsheet. 외
주관기관: 서울대학교 반도체공동연구소
주관연구책임자: 한민구
참여기업: 페어차일드 코리아 반도체 주식회사.
부록: 공정 진행용 runsheet. 외
Bibliography Note
참고문헌수록
Call Number
621.3815287 한17ㅇ
Items
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