Catalog
| LDR | 00927namka2200313 k 4500 | ||
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| 245 | 1 | 0 | ▼a 전력용 반도체 기술 개발 사업에 관한 연구:▼b 4500V 급 IGBT 설계 및 제작에 관한 연구=▼x Technology development of power semiconductior devices : design and manufacturing of 4500 V IGBT/▼d 과학기술부 [편].▲ |
| 246 | 0 | 8 | ▼a 전력용반도체 기술개발 사업에 관한 연구▲ |
| 260 | ▼a [과천]:▼b 과학기술부,▼c 2000.▲ | ||
| 300 | ▼a 122 p.:▼b 삽도;▼c 29 cm.▲ | ||
| 500 | ▼a 주관연구기관명 : 대우전자 반도체연구소▲ | ||
| 500 | ▼a 주관연구책임자 : 최진성▲ | ||
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전력용 반도체 기술 개발 사업에 관한 연구: 4500V 급 IGBT 설계 및 제작에 관한 연구= Technology development of power semiconductior devices : design and manufacturing of 4500 V IGBT
Document Type
Domestic Book
Title
전력용 반도체 기술 개발 사업에 관한 연구 : 4500V 급 IGBT 설계 및 제작에 관한 연구 = Technology development of power semiconductior devices : design and manufacturing of 4500 V IGBT / 과학기술부 [편].
Spine title
전력용반도체 기술개발 사업에 관한 연구
Corporate Name
Publication
[과천] : 과학기술부 , 2000.
Physical Description
122 p. : 삽도 ; 29 cm.
General Note
주관연구기관명 : 대우전자 반도체연구소
주관연구책임자 : 최진성
위탁연구기관명 : 아주대학교
위탁연구책임자 : 정상구
주관연구책임자 : 최진성
위탁연구기관명 : 아주대학교
위탁연구책임자 : 정상구
Bibliography Note
참고문헌 : p. 120-122
Call Number
621.38152 한17ㅈE
Items
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AAbsent
VPreservation
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