Catalog
| LDR | 00859namka2200289 k 4500 | ||
| 001 | 0000437182▲ | ||
| 005 | 20180521041605▲ | ||
| 007 | ta▲ | ||
| 008 | 001211s2000 ggka 000a kor ▲ | ||
| 040 | ▼d 221016▲ | ||
| 082 | 0 | ▼a 621.317▼2 21▲ | |
| 088 | ▼a 99-N5-01-01-A-06▲ | ||
| 090 | ▼a 621.317 ▼b 한17ㄱ▲ | ||
| 110 | ▼a ??국·▼b 과학기술부▲ | ||
| 245 | 1 | 0 | ▼a 900V급 SiC 전력소자 설계 및 기반공정기술=▼x Design and fundamental process technology of 900V SiC power device/▼d [과학기술부 편]▲ |
| 260 | ▼a 과천:▼b 과학기술부,▼c 2000.▲ | ||
| 300 | ▼a 231 p.:▼b 삽도;▼c 30 cm.▲ | ||
| 500 | ▼a 전력용 반도체 기술개발사업 세부과제임▲ | ||
| 500 | ▼a 연구기관 : 서울대학교 반도체공동연구소▲ | ||
| 500 | ▼a 연구책임자 : 김형준▲ | ||
| 700 | 1 | ▼a 김형준▲ | |
| 710 | 0 | 0 | ▼a 서울대학교·▼b 반도체공동연구소▲ |
| 740 | ▼a 전력용 반도체 기술개발사업▲ | ||
| 740 | ▼a Technology development of power semiconductor devices▲ | ||
| 940 | ▼a 구백볼트급 에스아이씨 전력소자 설계 및 기반공정기술▲ | ||
| 950 | 0 | ▼a 비매품▲ | |
| 999 | ▼a 이정희▼b 이정희▲ |
900V급 SiC 전력소자 설계 및 기반공정기술= Design and fundamental process technology of 900V SiC power device
Document Type
Domestic Book
Title
900V급 SiC 전력소자 설계 및 기반공정기술 = Design and fundamental process technology of 900V SiC power device / [과학기술부 편]
부출서명
전력용 반도체 기술개발사업
Technology development of power semiconductor devices
Technology development of power semiconductor devices
개인저자
Publication
과천 : 과학기술부 , 2000.
Physical Description
231 p. : 삽도 ; 30 cm.
General Note
전력용 반도체 기술개발사업 세부과제임
연구기관 : 서울대학교 반도체공동연구소
연구책임자 : 김형준
연구기관 : 서울대학교 반도체공동연구소
연구책임자 : 김형준
Call Number
621.317 한17ㄱ
Items
RReservation
AAbsent
VPreservation
CLoan Campus
QRush Cataloging
DDelivery Service
SSMS
PPrint
HHolding Journal DDS
| Regist No. | Call number | Item location | Status | Expected return date | Service |
|---|
Booktalk
Please feel free to read the book
and write your impressions.
글쓰기
and write your impressions.
Call Sign Browsing
Related Popular Books