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저압 MOCVD법을 이용한 Si 델타-도핑된 AlGaAs/InGaAs 구조의 저잡음 P-HEMTs
Document Type
Thesis
Title
저압 MOCVD법을 이용한 Si 델타-도핑된 AlGaAs/InGaAs 구조의 저잡음 P-HEMTs / 전영진.
개인저자
Publication
포항 : 포항공과대학 , 1995.
Physical Description
vi,52장 : 삽도,도판 ; 26cm.
Dissertation Note
학위논문(석사)-- 포항공과대학 대학원 : 전자전기공학과 , 1995
Call Number
569.8 전64ㅈ
Items
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AAbsent
VPreservation
CLoan Campus
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SSMS
PPrint
HHolding Journal DDS
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