학술논문 – 부산대학교 도서관

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Integration of MOSFETs with SiGe dots as stressor material

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Article

Author

Nanver, L.K.; Jovanović, V.; Biasotto, C.; Moers, J.; Grützmacher, D.; Zhang, J.J.; Hrauda, N.; Stoffel, M.; Pezzoli, F.; Schmidt, O.G.; Miglio, L.; Kosina, H.; Marzegalli, A.; Vastola, G.; Mussler, G.; Stangl, J.; Bauer, G.; van der Cingel, J.; Bonera, E.

Source

In Solid State Electronics 2011 60(1):75-83

Subject

Language

ISSN

0038-1101

Online Access

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