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Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs

Document Type

Article

Author

Li, B.; Huang, Y.-B.; Yang, L.; Zhang, Q.-Z.; Zheng, Z.-S.; Li, B.-H.; Zhu, H.-P.; Bu, J.-H.; Yin, H.-X.; Luo, J.-J.; Han, Z.-S.; Wang, H.-B.

Source

In Microelectronics Reliability September 2018 88-90:946-951

Subject

Language

ISSN

0026-2714

Online Access

Full Text (ScienceDirect 종량제) Web of Science JCR 저널정보 Scopus Find it@PNU

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