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Effective surface passivation of In0.53Ga0.47As(0 0 1) using molecular beam epitaxy and atomic layer deposited HfO2 – A comparative study
Document Type
Article
Author
Hong, M.; Wan, H.W.; Chang, P.; Lin, T.D.; Chang, Y.H.; Lee, W.C.; Pi, T.W.; Kwo, J.
Source
In Journal of Crystal Growth 1 November 2017 477:159-163
Subject
Language
ISSN
0022-0248

Online Access

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