학술논문

	o	ㅋ	ㄱ	ㅅ	ㅈ	ㅌ	ㄷ	촉	ㄴ	ㅎ	ㅂ	ㅃ	ㅁ	야	ㄹ	와
ㅏ	あ a	ぁ	か ka	が ga	さ sa	ざ za	た ta	だ da		な na	は ha	ば ba	ぱ pa	ま ma	や ya	ゃ lya	ら ra	わ wa	ゎ lwa	ん n
l	い i	ぃ	き ki	ぎ gi	し si	じ zi	ち ti	ぢ di		に ni	ひ hi	び bi	ぴ pi	み mi			り ri
ㅜ	う u	ぅ	く ku	ぐ gu	す su	ず zu	つ tu	づ du	っ	ぬ nu	ふ hu	ぶ bu	ぷ pu	む mu	ゆ yu	ゅ lyu	る ru
ㅔ	え e	ぇ	け ke	げ ge	せ se	ぜ ze	て te	で de		ね ne	へ he	べ be	ぺ pe	め me			れ re
ㅗ	お o	ぉ	こ ko	ご go	そ so	ぞ zo	と to	ど do		の no	ほ ho	ぼ bo	ぽ po	も mo	よ yo	ょ lyo	ろ ro	を wo

	o	ㅋ	ㄱ	ㅅ	ㅈ	ㅌ	ㄷ	촉	ㄴ	ㅎ	ㅂ	ㅃ	ㅁ	야	ㄹ	와
ㅏ	ア a	ァ	カ ka	ガ ga	サ sa	ザ za	タ ta	ダ da		ナ na	ハ ha	バ ba	パ pa	マ ma	ヤ ya	ャ lya	ラ ra	ワ wa	ヮ lwa		ン n
l	イ i	ィ	キ ki	ギ gi	シ si	ジ zi	チ ti	ヂ di		ニ ni	ヒ hi	ビ bi	ピ pi	ミ mi			リ ri
ㅜ	ウ u	ゥ	ク ku	グ gu	ス su	ズ zu	ツ tu	ヅ du	ッ	ヌ nu	フ hu	ブ bu	プ pu	ム mu	ユ yu	ュ lyu	ル ru			ヴ vu
ㅔ	エ e	ェ	ケ ke	ゲ ge	セ se	ゼ ze	テ te	デ de		ネ ne	ヘ he	ベ be	ぺ pe	メ me			レ re
ㅗ	オ o	ォ	コ ko	ゴ go	ソ so	ゾ zo	ト to	ド do		ノ no	ホ ho	ボ bo	ポ po	モ mo	ヨ yo	ョ lyo	ロ ro	ヲ wo		ーー

독일어
ä	Ä	ö	Ö	ü	Ü	ß
프랑스어
á	à	Á	À	é	è	É	È	ç	Ç	ê
스페인어
à	á	Á	é	É	í	Í	Ó	ó	Ú	ú	Ñ	ñ	ä	Ä

발행년	- (예 : 2010-2015)

전체선택

Sub-10−9 Ω·cm2 contact resistivity on p-SiGe achieved by Ga doping and nanosecond laser activation

Conference

Everaert, J-L.; Schaekers, M.; Yu, H.; Wang, L.-L.; Hikavyy, A.; Date, L.; del Agua Borniquel, J.; Hollar, K.; Khaja, F. A.; Aderhold, W.; Mayur, A. J.; Lee, J. Y.; van Meer, H.; Jiang, Y.-L.; De Meyer, K.; Mocuta, D.; Horiguchi, N.

2017 Symposium on VLSI Technology VLSI Technology, 2017 Symposium on. :T214-T215 Jun, 2017

Full Text (IEEE) Find it@PNU

Comprehensive study of Ga activation in Si, SiGe and Ge with 5 × 10−10 Ω·cm2 contact resistivity achieved on Ga doped Ge using nanosecond laser activation

Conference

Wang, Lin-Lin; Yu, Hao; Schaekers, M.; Everaert, J.-L.; Franquet, A.; Douhard, B.; Date, L.; del Agua Borniquel, J.; Hollar, K.; Khaja, F. A.; Aderhold, W.; Mayur, A. J.; Lee, J. Y.; van Meer, H.; Mocuta, D.; Horiguchi, N.; Collaert, N.; De Meyer, K.; Jiang, Yu-Long

2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2017 IEEE International. :22.4.1-22.4.4 Dec, 2017

Full Text (IEEE) Find it@PNU

A comparison of arsenic and phosphorus extension by Room Temperature and hot ion implantation for NMOS Si bulk-FinFET at N7 (7nm) technology relevant fin dimensions

Conference

Sasaki, Y.; Ritzenthaler, R.; De Keersgieter, A.; Chiarella, T.; Kubicek, S.; Rosseel, E.; Waite, A.; del Agua Borniquel, J.; Colombeau, B.; Chew, S. A.; Kim, M. S.; Schram, T.; Demuynck, S.; Vandervorst, W.; Horiguchi, N.; Mocuta, D.; Mocuta, A.; Thean, A. V-Y.

2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology) VLSI Technology (VLSI Technology), 2015 Symposium on. :T30-T31 Jun, 2015

Full Text (IEEE) Find it@PNU

Process control & integration options of RMG technology for aggressively scaled devices

Conference

Veloso, A.; Higuchi, Y.; Chew, S. A.; Devriendt, K.; Ragnarsson, L.-A.; Sebaai, F.; Schram, T.; Brus, S.; Vecchio, E.; Kellens, K.; Rohr, E.; Eneman, G.; Simoen, E.; Cho, M. J.; Paraschiv, V.; Crabbe, Y.; Shi, X.; Tielens, H.; Van Ammel, A.; Dekkers, H.; Favia, P.; Geypen, J.; Bender, H.; Phatak, A.; del Agua Borniquel, J.; Xu, K.; Allen, M.; Liu, C.; Xu, T.; Yoo, W. S.; Thean, A.; Horiguchi, N.

2012 Symposium on VLSI Technology (VLSIT) VLSI Technology (VLSIT), 2012 Symposium on. :33-34 Jun, 2012

Full Text (IEEE) Find it@PNU

Conformal Doping of FINFETs: a Fabrication and Metrology Challenge.

Conference

Vandervorst, W.; Everaert, J. L.; Rosseel, E.; Jurczak, M.; Hoffman, T.; Eyben, P.; Mody, J.; Zschätzsch, G.; Koelling, S.; Gilbert, M.; Poon, T.; del Agua Borniquel, J.; Foad, M.; Duffy, R.; Pawlak, B. J.

AIP Conference Proceedings. 11/3/2008, Vol. 1066 Issue 1, p449-456. 8p. 4 Diagrams, 1 Chart, 8 Graphs.

Full Text (AIP) Find it@PNU

Comprehensive study of Ga activation in Si, SiGe and Ge with 5 × 10-10 Ω·cm2 contact resistivity achieved on Ga doped Ge using nanosecond laser activation

Conference

Wang, L.-L.; Yu, H.; Schaekers, M.; Everaert, J.-L.; Franquet, A.; Douhard, B.; Mocuta, D.; Horiguchi, N.; Collaert, N.; De Meyer, K.; Jiang, Y.-L.; Date, L.; Del Agua Borniquel, J.; Hollar, K.; Khaja, F.A.; Aderhold, W.; Mayur, A.J.; Lee, J.Y.; Van Meer, H.

In: Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM, 2017 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2017. (Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM, 23 January 2018, :22.4.1-22.4.4)

Full Text (IEEE) Scopus Find it@PNU

부산대학교 도서관

메일 발송