학술논문
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Efficient passivation of n-type and p-type silicon surface defects by hydrogen sulfide gas reaction.
Academic Journal
Das, U K; Theisen, R; Hua, A; Upadhyaya, A; Lam, I; Mouri, T K; Jiang, N; Hauschild, D; Weinhardt, L; Yang, W; Rohatgi, A; Heske, C
Journal of Physics: Condensed Matter; 11/17/2021, Vol. 33 Issue 46, p1-8, 8p
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[AR] Mouri, T K
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