학술논문
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Initial investigations into the MOS interface of freestanding 3C-SiC layers for device applications.
Academic Journal
Renz, A B; Li, F; Vavasour, O J; Gammon, P M; Dai, T; Baker, G W C; Via, F La; Zielinski, M; Zhang, L; Grant, N E; Murphy, J D; Mawby, P A; Jennings, M; Shah, V A
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[AR] Grant, N E
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