부산대학교 도서관

본 논문에서는 마이크로파 회로 설계에 가장 널리 사용되는 마이크로스트립 벤드(Bend)와 티(Tee) 불연속소자의 등가회로 추출법을 제안한다. 회로 설계자들이 상대적으로 쉽게 등가회로를 구하기 위해, 극히 어려운 전자기 방정식이나 수치해석법을 이용하는 종래의 방법 대신, 전자기적 시뮬레이션으로 얻은 S-파라미터를 이용한다. 단자 연결 선로를 디임베딩하여 불연속 소자만의 특성을 얻은 후, Z-파라미터를 이용하는 회로망 해석방법으로 등가회로를 매우 쉽게 얻는다. 제안한 방법으로 얻은 등가회로의 전송 특성을 회로적으로 시뮬레이션하여 전자기적 시뮬레이션 결과와 유사함을 보인다. 실험적으로도 검증하기 위하여 해석에 사용된 회로 샘플을 실제로 제작하여 S-파라미터를 측정하고, 전자기 시뮬레이션 및 등가회로에서 얻은 S-파리미터와 비교한다. 세 가지 S-파라미터가 상호간 유사하므로 제안한 등가회로 추출방법이 타당함이 증명된다.
In this paper, extracted equivalent circuits of microstrip Bend and Tee discontinuity elements, which are widely used in design of microwave circuits, are proposed. Instead of extremely difficult conventional electromagnetic equations or numerical analysis methods, the electromagnetically(EM) simulated S-parameters are utilized in order for circuit designers to obtain equivalent circuits relatively easily. De-embedding the port-connected feeding lines from the EM simulated S-parameters, the pure discontinuity sections remain. Now, one can apply simple Z-parameter analysis method based on network theories. The calculated S-parameters of the obtained equivalent circuits are similar to those obtained from EM simulation. Sample circuits of Bend and Tee discontinuity elements are fabricated and measured. Three S-parameters produced from the EM simulation, equivalent circuit and measurement are similar, and so the validity of the proposed extraction method are proved.