부산대학교 도서관

Recently, as the thickness of the semiconductor package becomes thinner, warpage has become a major issue. Since the warpage is caused by differences in material properties between package components, it is essential to precisely evaluate the material properties of the EMC(Epoxy molding compound), one of the main components, to predict the warpage accurately. Especially, the cure shrinkage of the EMC is generated during the curing process, and among them, the effective cure shrinkage that occurs after the gelation point is a key factor in warpage. In this study, the gelation point of the EMC was defined from the dissipation factor measured using the dielectric sensor during the curing process similar with actual semiconductor package. In addition, DSC (Differential scanning calorimetry) test and rheometer test were conducted to analyze the dielectrometry measurement. As a result, the dielectrometry was verified to be an effective method for monitoring the curing status of the EMC. Simultaneously, the strain transition of the EMC during the curing process was measured using the FBG (Fiber Bragg grating) sensor. From these results, the effective cure shrinkage of the EMC during the curing process was measured.
최근 반도체 패키지 두께가 점점 얇아짐에 따라 휨(warpage) 문제가 대두되고 있다. 휨(warpage)은 패키지 구성요소들 간의 물성 차이로 인해 발생하기 때문에, 휨(warpage)을 예측하기 위해서는 주된 구성요소인 EMC(Epoxy molding compound)의 정확한 물성 파악이 필수적으로 요구된다. 특히 EMC는 경화 공정 중 경화 수축을 보이는데, 겔점이후에 발생하는 유효 경화 수축은 휨(warpage) 발생의 핵심 요소이다. 본 연구에서는 유전 센서를 이용해 측정한 소실계수로부터 실제 반도체 패키지 경화 공정 동안 발생하는 EMC의 겔점이 정의되었다. 유전 센서로부터 얻은 결과를 분석하기 위해 DSC(Differential scanning calorimetry) 시험과 rheometer 시험이 수행되었다. 그 결과, 유전 측정법이 EMC 경화상태 모니터링에 효과적인 방법임이 검증되었다. 유전 측정과 동시에 광섬유 센서를 이용해 EMC의 경화 공정 중 변형률 변화 추이가 함께 측정되었다. 위 결과들로부터 경화 공정 중 발생하는 EMC의 유효 경화 수축이 측정되었다.