학술논문

Relation between passivation and defect levels on the surface of n-BaSi2 epitaxial films on Si(111) / n-BaSi2エピタキシャル膜表面におけるパッシベーションと欠陥準位の関係
Document Type
Journal Article
Source
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2014, :2828
Subject
19p-A27-3
BaSi2
パッシベーション
半導体B(探索的材料・物性・デバイス)
探索的材料物性
欠陥準位
Language
Japanese
ISSN
2436-7613