학술논문

Fabrication of GaN FinFETs using selective area growth method / 選択成長法を用いたGaN FinFETの作製
Document Type
Journal Article
Source
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :3243
Subject
21a-E301-9
FinFET
Leakage current
selective area growth method
リーク電流
化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
半導体
窒化物半導体各種デバイス,プロセス技術・評価
選択成長法
Language
Japanese
ISSN
2436-7613