학술논문

Dependence of AlGaN/GaN contact-resistance reduction effect on the partially-thin AlGaN area design / 部分的に薄層化したAlGaN 層によるAlGaN/GaN コンタクト抵抗低減効果の薄層領域パターン依存性
Document Type
Journal Article
Source
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :3210
Subject
19p-PB3-12
GaN
HEMT
contact
コンタクト
化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
半導体
窒化物半導体各種デバイス,プロセス技術・評価
高電子移動度トランジスタ
Language
Japanese
ISSN
2436-7613