학술논문

Halide vapor phase epitaxy growth of Mg-doped GaN layer using Mg-containing ceramics for the source of impurities / Mg含有セラミックスを不純物源としたMg添加GaNのHVPE成長
Document Type
Journal Article
Source
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :2062
Subject
10p-Z02-7
GaN
HVPE
III-V族窒化物結晶
ハライド気相成長法
成長(HVPE, OVPE)
窒化ガリウム
結晶工学
Language
Japanese
ISSN
2436-7613