학술논문

Growth of GaSe crystals by liquid phase epitaxy under controlled Se vapor pressure and its evaluation / 蒸気圧制御温度差液相成長法によるGaSe結晶成長と評価
Document Type
Journal Article
Source
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2014, :2999
Subject
19p-A26-9
GaSe
テラヘルツ波
光物性・発光デバイス
半導体B(探索的材料・物性・デバイス)
液相成長
Language
Japanese
ISSN
2436-7613