학술논문
Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with a Guard Ring Fabricated by Using Nitrogen-Ion Implantation (II) / 窒素イオン注入を用いて作製したガードリング付き縦型Ga2O3ショットキーバリアダイオード (II)
Document Type
Journal Article
Author
Source
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :2922
Subject
Language
Japanese
ISSN
2436-7613