학술논문

EFG成長したβ-Ga2O3結晶中の欠陥評価(1) - (201)基板上のエッチピット列に対応する転位 - / Evaluation of defects in EFG-grown β-Ga2O3 crystals (1) - Dislocations corresponding to arrays of etch pits on (201) substrates -
Document Type
Journal Article
Source
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3934
Subject
14p-502-2
dislocation
gallium oxide
transmission electron microscopy
合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
物性評価
転位
透過電子顕微鏡法
酸化ガリウム
Language
Japanese
ISSN
2436-7613