학술논문

Annealing time dependence on void occupancy of directly-bonded InP/Si substrate (2) / 直接貼付InP/Si基板におけるボイド占有率のアニール時間依存性 (2)
Document Type
Journal Article
Source
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :1139
Subject
19p-PA3-2
InP/Si
Semiconductor laser
directly-bonded
シリコンフォトニクス
光・フォトニクス
半導体レーザ
発光デバイス,レーザー
直接貼付
Language
Japanese
ISSN
2436-7613