학술논문

High-precision ion-implantation on 4H-SiC by ion-implantation angle control / イオン注入角制御による4H-SiC基板へのイオン注入高精度化
Document Type
Journal Article
Source
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :3254
Subject
9a-PB3-6
IV族系化合物(SiC)
Ion Implantation
SiC
Silicon Carbide
イオン注入
物性評価
結晶工学
Language
Japanese
ISSN
2436-7613