학술논문
INFLUENCIA DE LOS MÉTODOS DE INMERSIÓN Y CENTRIFUGADO EN LA DEPOSICIÓN DE SEMILLAS PARA EL CRECIMIENTO DE NANOBARRAS DE CuO POR UNA TÉCNICA HIDROTERMAL
Document Type
Academic Journal
Author
Source
Revista Cubana de Fisica. December, 2023, Vol. 40 Issue 2, p85, 5 p.
Subject
Language
English
ISSN
0253-9268
Abstract
INFLUENCE OF THE DIP AND SPIN COATING METHODS ON THE SEEDING FOR THE GROWING OF CuO NANORODS BY A HYDROTHERMAL TECHNIQUE I. INTRODUCTION Nanostructured transition metal oxides (TMO) have attracted [...]
El (óxido de cobre(II) (CuO) es un material inorgánico estable con (óptimas propiedades para su aplicacion como material absorbente en celdas solares. Ademas, esta compuesto por elementos abudantes en la corteza terrestre y puede ser obtenido por métodos simples y de bajo costo. El semillado de los sustratos tiene una gran influencia en la morfología y alineacion vertical de nanobarras de CuO obtenidas mediante la técnica hidrotermal. En este trabajo se estudia la influencia de la inmersion y el centrifugado como técnicas de semillado en las características de las nanobarras de CuO. Tambien se evalua el efecto del tratamiento térmico secuencial hasta 500[grados]C. Los materiales obtenidos fueron caracterizados mediante microscopía electrónica de barrido (SEM) y espectroscopia Raman. Copper(II) oxide (CuO) nanostructures based solar cells have a great potential due to the optimal absorber characteristic of this material. Furthermore, CuO is stable, composed by abundant elements in the Earth's crust and can be obtained by inexpensive and simple synthesis methods. The substrates seeding is an important technological step with great influence in the morphology of CuO nanorods obtained by the hydrothermal technique. We have studied the influence of dip coating and spin coating as seeding techniques on the CuO nanorods properties. The materials are also evaluated after a sequential annealing until 500[degrees]C. The samples were characterized by means of scanning electron microscopy (SEM) and Raman spectroscopy. PACS: Nanoscale materials fabrication and characterization (fabricación y caracterización de materiales a nanoescala), 81.07.-b; materials treatment effects on nanostructures (efectos del tratamiento de materiales en semiconductores), 81.40.- z; Raman spectra of semiconductors (espectro Raman de semiconductores), 78.30.Am.
El (óxido de cobre(II) (CuO) es un material inorgánico estable con (óptimas propiedades para su aplicacion como material absorbente en celdas solares. Ademas, esta compuesto por elementos abudantes en la corteza terrestre y puede ser obtenido por métodos simples y de bajo costo. El semillado de los sustratos tiene una gran influencia en la morfología y alineacion vertical de nanobarras de CuO obtenidas mediante la técnica hidrotermal. En este trabajo se estudia la influencia de la inmersion y el centrifugado como técnicas de semillado en las características de las nanobarras de CuO. Tambien se evalua el efecto del tratamiento térmico secuencial hasta 500[grados]C. Los materiales obtenidos fueron caracterizados mediante microscopía electrónica de barrido (SEM) y espectroscopia Raman. Copper(II) oxide (CuO) nanostructures based solar cells have a great potential due to the optimal absorber characteristic of this material. Furthermore, CuO is stable, composed by abundant elements in the Earth's crust and can be obtained by inexpensive and simple synthesis methods. The substrates seeding is an important technological step with great influence in the morphology of CuO nanorods obtained by the hydrothermal technique. We have studied the influence of dip coating and spin coating as seeding techniques on the CuO nanorods properties. The materials are also evaluated after a sequential annealing until 500[degrees]C. The samples were characterized by means of scanning electron microscopy (SEM) and Raman spectroscopy. PACS: Nanoscale materials fabrication and characterization (fabricación y caracterización de materiales a nanoescala), 81.07.-b; materials treatment effects on nanostructures (efectos del tratamiento de materiales en semiconductores), 81.40.- z; Raman spectra of semiconductors (espectro Raman de semiconductores), 78.30.Am.