학술논문 – 부산대학교 도서관

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La2O3/In0.53Ga0.47As metal–oxide-semiconductor capacitor with low interface state density using TiN/W gate electrode

Document Type

Article

Author

Zadeh, D.H.; Oomine, H.; Suzuki, Y.; Kakushima, K.; Ahmet, P.; Nohira, H.; Kataoka, Y.; Nishiyama, A.; Sugii, N.; Tsutsui, K.; Natori, K.; Hattori, T.; Iwai, H.

Source

In Solid State Electronics April 2013 82:29-33

Subject

Language

ISSN

0038-1101

Online Access

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