학술논문 – 부산대학교 도서관

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Effect of doping on Al2O3/GaN MOS capacitance

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Article

Author

Rrustemi, B.; Piotrowicz, C.; Jaud, M-A.; Triozon, F.; Vandendaele, W.; Mohamad, B.; Gwoziecki, R.; Ghibaudo, G.

Source

In Solid State Electronics August 2022 194

Subject

Language

ISSN

0038-1101

Online Access

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