학술논문 – 부산대학교 도서관

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Stability and robustness of InAlGaN/GaN HEMT in short-term DC tests for different passivation schemes

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Article

Author

Oualli, M.; Dua, C.; Patard, O.; Altuntas, P.; Piotrowicz, S.; Gamarra, P.; Lacam, C.; Jacquet, J.-C.; Teisseire, L.; Lancereau, D.; Chartier, E.; Potier, C.; Delage, S.L.

Source

In Microelectronics Reliability September 2018 88-90:418-422

Subject

Language

ISSN

0026-2714

Online Access

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