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Selective epitaxial growth properties and strain characterization of Si
1−x
Ge
x
in SiO
2
trench arrays
Document Type
Article
Author
Koo, S.
;
Jang, H.
;
Ko, D.-H.
Source
In:
Journal of the Korean Physical Society
. (Journal of the Korean Physical Society, 1 April 2017, 70(7):714-719)
Subject
Language
English
ISSN
19768524
03744884
Online Access
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