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Surface passivation properties of atomic-layer deposited hafnium oxide on a (100) β-Ga2O3 MOSFET
Document Type
Article
Author
Oh, S.Y.; Lee, G.; Yoo, G.; Ma, J.
Source
In: Semiconductor Science and Technology. (Semiconductor Science and Technology, March 2024, 39(3))
Subject
Language
English
ISSN
13616641
02681242

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