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Forming-Free HfO2-Based Resistive Random Access Memory by X-Ray Irradiation
Document Type
Article
Author
Wang, Y.-B.; Wu, C.-W.; Zhou, K.-J.; Chang, T.-C.; Lin, S.-K.; Wu, P.-Y.; Zhang, Y.-C.; Tan, Y.-F.; Chen, W.-C.; Chou, S.-Y.; Sun, L.-C.; Tsai, X.-Y.; Sze, S.M.
Source
In: IEEE Transactions on Electron Devices. (IEEE Transactions on Electron Devices, 1 December 2022, 69(12):6705-6709)
Subject
Language
English
ISSN
15579646
00189383

Online Access

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