학술논문
三结砷化镓叠层太阳电池中的宽带隙隧穿结研究 / Investigation on tunnel-junction with wide band-gap for triple-junction GaAs solar cell
Document Type
Academic Journal
Author
Source
云南师范大学学报（自然科学版） / JOURNAL OF YUNAN NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCES EDITION). 31(1):9-14
Subject
Language
Chinese
ISSN
1007-9793
Abstract
隧穿结是影响三结砷化镓叠层太阳电池性能的关键因素.从隧穿结导致三结电池性能曲线异常的问题出发,数学模拟了GaInP2微结构有序性对宽带隙AlGaAs/GaInP2隧穿结的影响.由此设计了合理的隧穿结,使三结砷化镓叠层太阳电池的性能得到改善.