학술논문
一种高温度稳定性的GaN基准电压源设计 / Design of a GaN Reference Voltage Source with High Temperature Stability
Document Type
Academic Journal
Author
Source
电子与封装 / Electronics and Packaging. 23(5):51-57
Subject
Language
Chinese
ISSN
1681-1070
Abstract
基于宽带隙、高饱和电子漂移速率、高击穿场强等材料特性优势,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频大功率器件领域发展前景广阔.在集成电路中,基准电压源是为其他电路模块提供稳定参考电压的关键功能模块.基于0.5μm BCD GaN HEMT工艺,提出了一种GaN基准电压源的设计方案.Cadence Spectre仿真结果显示,该GaN基准电压源在-40～150℃范围内可实现2.04 V的稳定电压输出,温度系数为3.7×10-6/℃.在室温27℃下,当电源电压由5V增至20V时,输出电压的线性灵敏度为0.13％/V.该GaN基准电压源具有高温度稳定性,后续可与不同的GaN基电路模块组合构成功能丰富的GaN基集成电路.