학술논문
采用均相模型预测低温液氙无损存储过程的压力变化 / Prediction of Pressure Change during the No-vent Storage Process of Cryogenic Xenon Based on the Homogeneous Model
Document Type
Academic Journal
Author
王秀丽; 巨永林; 陈煜; 王舟; 崔祥仪; 杜旭; 刘华萱; WANG Xiuli; JU Yonglin; CHEN Yu; WANG Zhou; CUI Xiangyi; DU Xu; LIU Huaxuan
Source
真空与低温 / Vacuum and Cryogenics. 26(6):481-485
Subject
Language
Chinese
ISSN
1006-7086
Abstract
对于贵重气体和超高纯度气体的低温存储常采用无损存储技术,对存储压力进行准确和有效的预测是保障低温系统安全和实现无损存储的重要环节.采用均相模型对低温液氙无损存储过程的压力和温度进行定量预测,该模型假设气体和液体温度相同,气体的压力为对应温度下的饱和压力.在均相模型的基础上,为优化计算结果,采用实时存储温度对计算过程中的漏热量进行修正,并在计算模型中增加内胆不锈钢热延迟效果.计算模型针对容积为6 m3、存储有6000 kg液氙、对应初始充注率为34％的低温绝热容器,模拟了超过400天的无损存储过程,获得了压力、温度随时间的变化规律,得出内胆热延迟作用使存储时间增加约31.9％的结论.