학술논문
高能X射线入射时CsI光阴极的光电发射特性 / Photoemission characteristics of a CsI photocathode under high energy X-ray
Document Type
Academic Journal
Author
Source
深圳大学学报（理工版） / Journal of Shenzhen University(Science & Engineering). 33(3):254-258
Subject
Language
Chinese
ISSN
1000-2618
Abstract
采用蒙特卡罗方法建立模型,研究CsI光阴极在高能X射线照射时的光电发射特性,得到X射线条纹相机中CsI光阴极在高能X射线入射时的性能参数.计算CsI光阴极厚度为100 ～1 000 nm,入射X射线能量为1～30 keV时CsI光阴极的量子产额、出射二次电子的角度分布、位置分布以及能量分布.结果显示,CsI光阴极在高能X射线入射时的极限空间分辨率约为7～9 nm,可满足X射线条纹相机对高时空分辨的使用需求.