학술논문
重离子辐照下SDRAM存储器"固定位"错误研究 / Research on"Stuck bit"Error of SDRAM Memory under Heavy Ion Irradiation
Document Type
Academic Journal
Author
唐越; 殷中云; 邓玉良; 李孝远; 杨彬; 方晓伟; TANG Yue; YIN Zhongyun; DENG Yuliang; LI Xiaoyuan; YANG Bin; FANG Xiaowei
Source
微处理机 / Microprocessors. 42(1):9-12
Subject
Language
Chinese
ISSN
1002-2279
Abstract
对65 nm SDRAM存储器进行重离子试验,分析其出现"固定位"错误的地址分布规律性,并研究错误数量与辐射能量以及注量之间的关系.对辐照后样品采用不同温度和时长退火,分析不同参数设定对"固定位"错误恢复的影响.根据试验现象,围绕微剂量效应,分析"固定位"错误的产生机理.提出一种方法,通过三维堆叠的方式在SDRAM存储芯片下叠封一个加热芯片,利用加热退火使"固定位"错误消失,可有效解决SDRAM存储器在宇航环境下出现"固定位"错误却无法维修器件的问题.