학술논문
增强型Cascode结构氮化镓功率器件的高能质子辐射效应研究 / High-energy proton radiation effect of Gallium nitride power device with enhanced Cascode structure
Document Type
Academic Journal
Author
白如雪; 郭红霞; 张鸿; 王迪; 张凤祁; 潘霄宇; 马武英; 胡嘉文; 刘益维; 杨业; 吕伟; 王忠明; Bai Ru-Xue; Guo Hong-Xia; Zhang Hong; Wang Di; Zhang Feng-Qi; Pan Xiao-Yu; Ma Wu-Ying; Hu Jia-Wen; Liu Yi-Wei; Yang Ye; Lyu Wei; Wang Zhong-Ming
Source
物理学报 / Acta Physica Sinica. 72(1):44-50
Subject
Language
Chinese
ISSN
1000-3290
Abstract
针对增强型共栅共源(Cascode)级联结构和耗尽型AlGaN/GaN功率器件,利用60 MeV能量质子开展辐射效应研究.获得了经质子辐照后器件电学性能的退化规律,并与常规耗尽型HEMTs器件辐照后的电学性能进行了比较,发现增强型Cascode结构器件对质子辐照更加敏感,分析认为级联硅基MOS管的存在是其对质子辐照敏感的主要原因.质子辐照使硅基MOS管栅氧化层产生大量净的正电荷,诱导发生电离损伤效应,使其出现阈值电压负向漂移及栅泄漏电流增大等现象.利用等效(60 MeV能量质子,累积注量1×1012 p/cm2)剂量的60Coγ射线辐射器件得到电离损伤效应结果,发现器件的电学性能退化规律与60 MeV能量质子辐照后的退化规律一致.通过蒙特卡罗模拟得到质子入射在Cascode型器件内诱导产生的电离能损和非电离能损,模拟结果表明电离能损是导致器件性能退化的主要原因.