학술논문 – 부산대학교 도서관

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Transport-based dopant metrology in advanced FinFETs.

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Author

Lansbergen, G.P.; Rahman, R.; Wellard, C.J.; Caro, J.; Collaert, N.; Biesemans, S.; Klimeck, G.; Hollenberg, L.C.L.; Rogge, S.

Source

2008 IEEE International Electron Devices Meeting; 2008, p1-4, 4p

Subject

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