부산대학교 도서관

Nous utilisons la théorie de la fonctionnelle de densité et l'approche de Landauer pour étudier les effets de la concentration et de la position des atomes de bore comme impuretés dans des nanorubans de graphène. À cette fin nous présentons des nanorubans de graphènes dopés avec trois différentes concentrations d'atomes de bore et nous calculons la densité d'états (DdÉ/DOS), le courant électronique et le coefficient de Seebeck. La comparaison des courbes DdÉ des nanorubans non dopés avec ceux dopés montre que la présence des atomes de bore cause l'apparition d'un gap en énergie près de l'énergie de Fermi. Aussi, l'étude des caractéristiques I – V montre que non seulement la quantification du courant est vérifiée et qu'on peut aussi observer une réduction de la conductivité par le dopage au bore, mais que cette réduction n'est pas sensible à l'augmentation de la concentration en bore. De plus, les changements du coefficient de Seebeck montrent que dans les deux cas, dopé et non dopé, la courbe a une valeur minimale à 10K, qui diminue avec l'augmentation de la concentration en bore. De façon générale, les résultats de nos calculs montrent que l'augmentation de la concentration de bore, non seulement change le gap en énergie du graphène, mais aussi les propriétés thermoélectriques, attribuable à la distribution des impuretés. Les résultats de cette étude peuvent être utilisés dans le design de composants électroniques semiconducteurs construits sur la base de nanorubans de graphène. [Traduit par la Rédaction] [ABSTRACT FROM AUTHOR]