학술논문
PHOTO-ACOUSTIC RESPONSE AND OPTICAL FEATURES OF 2D-TlGaSe2 AND GaAs SEMICONDUCTORS.
Document Type
Article
Author
Source
Subject
*STARK effect
*AUDITING standards
*NEGATIVE refraction
*BAND gaps
*SEMICONDUCTORS
*
*
*
*
Language
ISSN
1648-8504
Abstract
Naudodami lazerio impulsus tyrėme fotoakustines 2D-TlGaSe2 ir GaAs puslaidininkių savybes. Taip pat atlikome fotopatamsėjimo eksperimentus, naudodami pastovaus veikimo fokusuotą apšvitinimą su mažesne nei TlGaSe2 sugerties kraštas kvanto energija. Parodyta, kad fotoakustiniai signalai, generuojami lazerio kvanto energija, virš TlGaSe2 sugerties krašto yra daug stipresni, o nuo sužadinimo lygio - tiesiški, GaAs yra iškraipomi kelių netiesinių optinių procesų. Atlikti palyginimai atskleidė būdingus TlGaSe2 parametrus, atsakingus už šį reiškinį. Tai didelis lūžio rodiklio pokytis tarpsluoksnio slėgio (100) kryptimi ir neigiamas pakitimo ženklas, taip pat esant nedideliam sugerties koeficientui ir nestebint energetinių būsenų užpildymo. Šios savybės garantuoja stabilų lazerio energijos konversijos lygį į akustinius signalus per termoelastinį- deformacinį fotoatsaką. Žemiau energijos krašto aptikome naujus akustinius signalus TlGaSe2 bandiniuose. Matavimai fokusuotos nuolatinės veikos spinduliais šioje kvantų srityje parodė atsirandantį didelį Štarko efektą, kuris indukuoja TlGaSe2 bandinių tamsėjimą ir esant dideliam energijos tankiui sukelia lokalinę medžiagos degradaciją arba sprogimą apšvitintose srityse. Darbo rezultatai leidžia manyti, kad planariniai sanglaudos defektai, būdingi TlGaSe2 sluoksnių struktūroms, yra atsakingi už pasirodžiusią sluoksnių poliarizaciją ir šių savaiminių reiškinių atsiradimą. [ABSTRACT FROM AUTHOR]