소장자료
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양성자 및 중성자 빔 조사를 이용한 인듐산화아연 기반의 박막트랜지스터 이동도 특성 향상에 관한 연구=Enhancement of channel mobility of indium zinc oxide Based thin film transistor using proton and neutron beam irradiation
자료유형
국내단행본
서명/책임사항
양성자 및 중성자 빔 조사를 이용한 인듐산화아연 기반의 박막트랜지스터 이동도 특성 향상에 관한 연구 = Enhancement of channel mobility of indium zinc oxide Based thin film transistor using proton and neutron beam irradiation / 과학기술부 [편].
부출서명
원자력연구기반확충사업
사이클로트론 이용연구
사이클로트론 이용연구
발행사항
서울 : 과학기술부 , 2009.
형태사항
49 p. : 삽도 ; 30 cm.
일반주기
주관연구기관명: 한양대학교 산학협력단
주관연구책임자: 박종완
연구원: 문연건, 문대용, 이시
중사업명: 원자력연구기반확충사업
세부사업명: 사이클로트론 이용연구
주관연구책임자: 박종완
연구원: 문연건, 문대용, 이시
중사업명: 원자력연구기반확충사업
세부사업명: 사이클로트론 이용연구
서지주기
참고문헌: p. 49
청구기호
621.48 한17ㅇDT
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