소장자료
| LDR | 00944namka2200301 k 4500 | ||
| 001 | 0000555317▲ | ||
| 005 | 20180521004601▲ | ||
| 007 | ta▲ | ||
| 008 | 021014s2002 ggka 001a korBU▲ | ||
| 040 | ▼a 221016 ▼d 221016▲ | ||
| 041 | 0 | ▼a kor▼b eng▲ | |
| 082 | 0 | ▼a 620.112972▼2 21▲ | |
| 088 | ▼a 2000-N-NL-01-C-256(v.2002)▲ | ||
| 088 | ▼a M1-0001-00-0012(v.2005)▲ | ||
| 090 | ▼a 620.112972 ▼b 한17ㅎ▲ | ||
| 110 | ▼a 한국.▼b 과학기술부▲ | ||
| 245 | 1 | 0 | ▼a 화합물 반도체 표면구조 변환 및 전극 형성 기술=▼x Metal contact technology on compound semiconductor by controlling potential built at the interface of metal with semiconductor/▼d 과학기술부 [편]▲ |
| 260 | ▼a 과천 :▼b 과학기술부,▼c 2002.▲ | ||
| 300 | ▼a 책.:▼b 삽도;▼c 30 cm.▲ | ||
| 440 | 0 | 0 | ▼a 국가지정연구실=▼x National research laboratory▲ |
| 500 | ▼a 연구기관 : 포항공과대학교▲ | ||
| 500 | ▼a 연구책임 : 이종람▲ | ||
| 504 | ▼a 참고문헌 수록▲ | ||
| 505 | 0 | ▼a v.2002, 59장. - v.2005, 83 p.▲ | |
| 520 | ▼a 요약문, Summary 수록▲ | ||
| 700 | 1 | ▼a 이종람▲ | |
| 710 | ▼a 포항공과대학교▲ | ||
| 999 | ▼a 홍미영▼b 정영주▲ |
화합물 반도체 표면구조 변환 및 전극 형성 기술= Metal contact technology on compound semiconductor by controlling potential built at the interface of metal with semiconductor
자료유형
국내단행본
서명/책임사항
화합물 반도체 표면구조 변환 및 전극 형성 기술 = Metal contact technology on compound semiconductor by controlling potential built at the interface of metal with semiconductor / 과학기술부 [편]
개인저자
발행사항
과천 : 과학기술부 , 2002.
형태사항
책. : 삽도 ; 30 cm.
총서사항
국가지정연구실 = National research laboratory
일반주기
연구기관 : 포항공과대학교
연구책임 : 이종람
연구책임 : 이종람
서지주기
참고문헌 수록
내용주기
v.2002, 59장. - v.2005, 83 p.
요약주기
요약문, Summary 수록
청구기호
620.112972 한17ㅎ
소장정보
예도서예약
서서가에없는책 신고
보보존서고신청
캠캠퍼스대출
우우선정리신청
배자료배달신청
문문자발송
출청구기호출력
학소장학술지 원문서비스
| 등록번호 | 청구기호 | 소장처 | 도서상태 | 반납예정일 | 서비스 |
|---|
북토크
자유롭게 책을 읽고
느낀점을 적어주세요
글쓰기
느낀점을 적어주세요
청구기호 브라우징
관련 인기대출 도서