소장자료
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양성자 빔을 이용한 실리콘 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(Si IGBT)의 고속 스위칭을 위한 최적화 및 단락 회로 유지 능력 개선 기술 개발=Improvement on short-circuit capabipity and switching characteristics of Si IGBT by employing proton beam irradiation and annealing
자료유형
국내단행본
서명/책임사항
양성자 빔을 이용한 실리콘 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(Si IGBT)의 고속 스위칭을 위한 최적화 및 단락 회로 유지 능력 개선 기술 개발 = Improvement on short-circuit capabipity and switching characteristics of Si IGBT by employing proton beam irradiation and annealing / 한국원자력연구원 양성자기반공학기술개발사업단 [편].
부출서명
양성자 빔을 이용한 실리콘 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 고속 스위칭을 위한 최적화 및 단락 회로 유지 능력 개선 기술 개발
양성자기반공학기술개발사업
대형연구시설공동이용활성화사업
양성자 빔을 이용한 실리콘 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 고속 스위칭을 위한 최적화 및 단락 회로 유지 능력 개선 기술 개발
Development and management of proton accelerator user program
양성자기반공학기술개발사업
대형연구시설공동이용활성화사업
양성자 빔을 이용한 실리콘 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 고속 스위칭을 위한 최적화 및 단락 회로 유지 능력 개선 기술 개발
Development and management of proton accelerator user program
발행사항
대전 : 한국원자력연구원 양성자기반공학기술개발사업단 , 2008.
형태사항
49 p. : 삽도 ; 30 cm.
일반주기
이 보고서는 과학기술부에서 시행한 양성자기반공학기술개발사업의 연구보고서임
세부사업명 : 양성자기반공학기술개발사업
세부사업명 : 대형연구시설공동이용활성화사업
세부과제명 : 양성자가속기 이용자프로그램 개발 및 운영(Development and management of proton accelerator user program)
연구수행기관명 : 서울대학교
연구책임자 : 한민구
연구원 : 조규헌, 지인환, 최영환...[등]연구
세부사업명 : 양성자기반공학기술개발사업
세부사업명 : 대형연구시설공동이용활성화사업
세부과제명 : 양성자가속기 이용자프로그램 개발 및 운영(Development and management of proton accelerator user program)
연구수행기관명 : 서울대학교
연구책임자 : 한민구
연구원 : 조규헌, 지인환, 최영환...[등]연구
서지주기
참고문헌 : p. 49
요약주기
요약문 및 Summary 수록
키워드
청구기호
621.3815 한17ㅇJ
소장정보
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