소장자료
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| 999 | ▼a 정영주 ▼b 정영주▲ |
1200V급 고신뢰성 MOS 구동 사이리스터 개발= Development of the 1200V high reliability MOS-Gated thyristor
자료유형
국내단행본
서명/책임사항
1200V급 고신뢰성 MOS 구동 사이리스터 개발 = Development of the 1200V high reliability MOS-Gated thyristor / 과학기술부 [편]
개인저자
발행사항
[과천] : 과학기술부 , 2003.
형태사항
1책(면수복잡) : 삽도. ; 30 cm.
총서사항
일반주기
부록 수록
연구책임자 : 한민구
연구기관 : 서울대학교 반도체공동연구소.
연구책임자 : 한민구
연구기관 : 서울대학교 반도체공동연구소.
요약주기
요약문, Summary 수록
청구기호
621.38152 한17ㅊJ
소장정보
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