소장자료
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900V급 SiC 전력소자 설계 및 기반공정기술= Design and fundamental process technology of 900V SiC power device
자료유형
국내단행본
서명/책임사항
900V급 SiC 전력소자 설계 및 기반공정기술 = Design and fundamental process technology of 900V SiC power device / [과학기술부 편]
부출서명
전력용 반도체 기술개발사업
Technology development of power semiconductor devices
Technology development of power semiconductor devices
개인저자
발행사항
과천 : 과학기술부 , 2000.
형태사항
231 p. : 삽도 ; 30 cm.
일반주기
전력용 반도체 기술개발사업 세부과제임
연구기관 : 서울대학교 반도체공동연구소
연구책임자 : 김형준
연구기관 : 서울대학교 반도체공동연구소
연구책임자 : 김형준
청구기호
621.317 한17ㄱ
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