소장자료
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이온빔 조사를 이용한 산화아연기반의 박막트랜지스터용 채널층 물질 개발에 관한 연구=Enhancement of electrical properties of ZnO thin films for TFT-channel layer using ion beam irradiation
자료유형
국내단행본
서명/책임사항
이온빔 조사를 이용한 산화아연기반의 박막트랜지스터용 채널층 물질 개발에 관한 연구 = Enhancement of electrical properties of ZnO thin films for TFT-channel layer using ion beam irradiation / 과학기술부 [편].
부출서명
원자력연구개발 중·장기계획사업
사이클로트론 이용 연구
사이클로트론 이용 연구
발행사항
과천 : 과학기술부 , 2008.
형태사항
31 p : 삽도 ; 30 cm.
일반주기
주관연구기관 : 한양대학교
주관연구책임 : 박종완
연구원 : 문연건, 문대용, 임채호
중사업명 : 원자력연구개발 중·장기계획사업
세부사업명 : 사이클로트론 이용 연구
주관연구책임 : 박종완
연구원 : 문연건, 문대용, 임채호
중사업명 : 원자력연구개발 중·장기계획사업
세부사업명 : 사이클로트론 이용 연구
요약주기
요약문 및 Summary 수록
청구기호
621.48 한17ㅇDC
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