소장자료
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자기제어 화학반응을 이용한 <10nm 수준의 Si-반도체용 디지털 박막증착기술: 게이트 절연막, 고/강유전체, 전극/배선용 확산방지막 및 seed/wetting용 금속 박막 응용
자료유형
국내단행본
서명/책임사항
자기제어 화학반응을 이용한 <10nm 수준의 Si-반도체용 디지털 박막증착기술 : 게이트 절연막, 고/강유전체, 전극/배선용 확산방지막 및 seed/wetting용 금속 박막 응용 / 과학기술부 [편].
개인저자
발행사항
과천 : 과학기술부 , 2002.
형태사항
xii, 89 장 : 삽도 ; 30 cm.
총서사항
국가지정연구실사업 = National research laboratory project
일반주기
주관연구기관명:한국과학기술원
주관연구책임자:강상원
주관연구책임자:강상원
청구기호
621.38152 한17ㅈG
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