소장자료
| LDR | 00653camka2200229 k 4500 | ||
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| 005 | 20180520054829▲ | ||
| 007 | ta▲ | ||
| 008 | 960306s1996 gbkaf m SN 000 kor ▲ | ||
| 012 | ▼a KDM199600991▲ | ||
| 041 | 0 | ▼a kor ▼b eng▲ | |
| 052 | 0 | 1 | ▼a 530.48 ▼b 안629ㅇ▲ |
| 056 | ▼a 530.48 ▼2 2▲ | ||
| 082 | 0 | ▼a 620.193 ▼2 19▲ | |
| 090 | ▼a 530.48 ▼b 안811ㅇ▲ | ||
| 100 | 1 | ▼a 안창근▲ | |
| 245 | 1 | 0 | ▼a RTCVD 법에 의한 Si₁-ⅹGeⅹ 에피막의 성장 및 특성분석 / ▼d 안창근▲ |
| 260 | ▼a 포항 : ▼b 포항공과대학교, ▼c 1996.▲ | ||
| 300 | ▼a vi,48장 : ▼b 삽도,도판 ; ▼c 26cm.▲ | ||
| 502 | 0 | ▼a 학위논문(석사)--▼b 포항공과대학교 대학원: ▼c 전자전기공학과(반도체전공), ▼d 1996▲ | |
| 653 | ▼a RTCVD ▼a 에피막▲ | ||
| 940 | ▼a 알티시브이디 법에 의한 에스아이-지이 에피막의 성장 및 특성분석▲ |
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