소장자료
| LDR | 00698camka2200229 k 4500 | ||
| 001 | 0000201624▲ | ||
| 005 | 20180520022615▲ | ||
| 007 | ta▲ | ||
| 008 | 950501s1995 gbkaf m SN 000 kor ▲ | ||
| 012 | ▼a KDM199508481▲ | ||
| 041 | 0 | ▼a kor ▼b eng▲ | |
| 052 | 0 | 1 | ▼a 569.8 ▼b 전895ㅈ▲ |
| 056 | ▼a 569.8 ▼2 3▲ | ||
| 082 | 0 | ▼a 621.38171 ▼2 19▲ | |
| 090 | ▼a 569.8 ▼b 전64ㅈ▲ | ||
| 100 | 1 | ▼a 전영진▲ | |
| 245 | 1 | 0 | ▼a 저압 MOCVD법을 이용한 Si 델타-도핑된 AlGaAs/InGaAs 구조의 저잡음 P-HEMTs / ▼d 전영진.▲ |
| 260 | ▼a 포항 : ▼b 포항공과대학, ▼c 1995.▲ | ||
| 300 | ▼a vi,52장 : ▼b 삽도,도판 ; ▼c 26cm.▲ | ||
| 502 | 0 | ▼a 학위논문(석사)--▼b 포항공과대학 대학원: ▼c 전자전기공학과, ▼d 1995▲ | |
| 653 | ▼a 저압 ▼a MOCVD법 ▼a 델타도핑 ▼a ALGAASINGAAS ▼a 저잡음 ▼a PHEMTS▲ | ||
| 940 | ▼a 저압 엠오시브이디법을 이용한 에스아이 델타-도핑된...▲ |
저압 MOCVD법을 이용한 Si 델타-도핑된 AlGaAs/InGaAs 구조의 저잡음 P-HEMTs
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